زمان بندی عملکرد حافظه های رم

https://hojrenama.com/wp-content/uploads/2017/02/1-9.jpg

زمان بندی عملکرد حافظه های رم مثلا 4-4-4-12

زمان در جا های مختلف به صورت های متنوعی بیان می شود در این مقاله به بررسی تخصصی زمان بندی عملکرد حافظه های رم برای نمونه ای 4-4-4-12 می پردازیم که شرح این مطلب به صورت زیر بیان می شود.

به زبان ساده و روان زمان بندی عملکرد حافظه های رم , توسط چندین عدد بیان می شود. در حقیقت اگر به مشخصات فنی یک ماژول رم دقت کرده باشید, احتمالا با یک عبارت 4 تکه مانند همان چیزی که در تیتر مقاله به آن اشاره شد مواجه شده اید. این عبارت همان زمان بندی Timing ماژول حافظه است. ضمن این که هر کدام از این عدد ها, مشخص کننده ی یکی از پارامتر های عملیاتی ماژول حافظه است که به نحوی با مقوله ی زمان مرتبط است. به عبارتی و به طور کلی هر چه این اعداد کوچک تر باشند, سرعت عملکرد ماژول حافظه افزایش می یابد. قابل ذکر است, زمان بندی, ماژول های حافظه که به شکل 4 رقم بیان می شود, به ترتیب شامل پارامتر های زیر است.

• CAS Latency (CL)


• Row Address to column Address Delay (tRCD)


• Row Precharge Time (tRP)


• Row Active Time (tRAS)

عبارتی که برای زمان بندی عملکرد حافظه ی رم بیان می شود, مقدار 4 فاکتور فوق را به ترتیب از چپ به راست نمایش می دهد. این پارامتر ها هر کدام وظیفه خاصی را انجام می دهند و به عملکرد خاصی مربوط می شوند. اما چیزی که معمولا به عنوان زمان تاخیر مطرح می شود, رقم اول یا CL است. CL بیانگر زمانی است که بین ارسال دستور از کنترلر حافظه برای دسترسی به یک واحد حافظه, تا رسیدن اطلاعات روی پین خروجی ماژول حافظه, به طول می انجامد.

ضمن اینکه اعداد کوچک تر در زمان بندی های ماژول حافظه, نشان دهنده ی سریع تر بودن عملکرد حافظه است.
مطلب کامل در لینک زیر بخوانید
https://hojrenama.com/2017/02/12/%d8%b2%d9%85%d8%a7%d9%86-%d8%a8%d9%86%d8%af%db%8c-%d8%b9%d9%85%d9%84%da%a9%d8%b1%d8%af-%d8%ad%d8%a7%d9%81%d8%b8%d9%87-%d9%87%d8%a7%db%8c-%d8%b1%d9%85/